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VBQA2305 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 120A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W 类型:P沟道
VBQA2305的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻4mΩ @ 120A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)110W

类型P沟道

供应商VBQA2305
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VBQA2305VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 120A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W 类型:P沟道1+:¥5.12
10+:¥3.78
30+:¥3.53
100+:¥3.29
500+:¥3.18
1000+:¥3.12