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VBQA1638 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.8V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35.7W 类型:N沟道
VBQA1638的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)15A

栅源极阈值电压2.8V @ 250uA

漏源导通电阻24mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)35.7W

类型N沟道

供应商VBQA1638
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VBQA1638VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.8V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35.7W 类型:N沟道1+:¥3.58
10+:¥2.64
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500+:¥2.22
1000+:¥2.18