VBQA1638
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.8V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35.7W 类型:N沟道
VBQA1638的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)15A
栅源极阈值电压2.8V @ 250uA
漏源导通电阻24mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)35.7W
类型N沟道
VBQA1638
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VBQA1638 | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 807.58 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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