VBQA2309
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W 类型:P沟道
VBQA2309的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻8mΩ @ 60A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)75W
类型P沟道
VBQA2309
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VBQA2309 | P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 664.32 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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 立创商城 | VBQA2309 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W 类型:P沟道 | 1+:¥3.42 10+:¥2.53 30+:¥2.36 100+:¥2.2 500+:¥2.12 1000+:¥2.09
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