VBQF1310
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):16.7W 类型:N沟道
VBQF1310的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)30A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻10mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)16.7W
类型N沟道
VBQF1310
VBQF1310及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
VBQF1310 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 752.84 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
VBQF1310的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | VBQF1310 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):16.7W 类型:N沟道 | 1+:¥1.7986 10+:¥1.3313 30+:¥1.2455 100+:¥1.1596 500+:¥1.1215 1000+:¥1.1027
|