VBQF1306
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):6W 类型:N沟道
VBQF1306的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)40A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻4.5mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)6W
类型N沟道
VBQF1306
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VBQF1306 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 645.6 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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