VBP1606
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):175W 类型:N沟道
VBP1606的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)150A
栅源极阈值电压3.5V @ 250uA
漏源导通电阻7mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)175W
类型N沟道
VBP1606
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VBP1606 | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 672.37 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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