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VBP1606 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):175W 类型:N沟道
VBP1606的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)150A

栅源极阈值电压3.5V @ 250uA

漏源导通电阻7mΩ @ 30A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)175W

类型N沟道

供应商VBP1606
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集好芯城VBP1606深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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VBP1606VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):175W 类型:N沟道1+:¥11.06
10+:¥8.14
30+:¥7.61
100+:¥7.07
500+:¥6.83
1000+:¥6.71