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VBQF1303 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W 类型:N沟道
VBQF1303的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A

栅源极阈值电压1.5V @ 250uA

漏源导通电阻4mΩ @ 10A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)52W

类型N沟道

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VBQF1303VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W 类型:N沟道1+:¥3.47
10+:¥2.56
30+:¥2.39
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