VBQF1303
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W 类型:N沟道
VBQF1303的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻4mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)52W
类型N沟道
VBQF1303
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VBQF1303 | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 616.81 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
VBQF1303的全球分销商及价格
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 立创商城 | VBQF1303 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):52W 类型:N沟道 | 1+:¥3.47 10+:¥2.56 30+:¥2.39 100+:¥2.22 500+:¥2.15 1000+:¥2.11
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 立创商城 | VBQF1303S | VBsemi(台湾微碧) | 预售晶体管 | 1+:¥1.482 200+:¥0.5736 500+:¥0.5534 1000+:¥0.5434
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