VBQA1102N
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W 类型:N沟道
VBQA1102N的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)30A
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻17mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)60W
类型N沟道
VBQA1102N
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VBQA1102N | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 900.88 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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