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VBQF2120 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 25A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W 类型：N沟道

VBQF2120的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）12V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）25A

栅源极阈值电压1.5V @ 250uA

漏源导通电阻15mΩ @ 25A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）37W

类型N沟道

VBQF2120

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深圳市芯幂科技有限公司	VBQF2120	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBQF2120	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBQF2120	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBQF2120	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市泓建半导体有限公司	VBQF2120	深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B12	18617195508 18617195508	蔡永记	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	VBQF2120	华强北现代之窗A 9D	0755-23903154 13430590551	杨晓芳	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBQF2120	P-Channel 12 V (G-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		754.5 Kbytes	共8页		无

VBQF2120的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	VBQF2120	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 25A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W 类型：N沟道	1+:￥3.22 10+:￥2.38 30+:￥2.22 100+:￥1.863 500+:￥1.8 1000+:￥1.764

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