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VBL2309 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：P沟道

VBL2309的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）75A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻8mΩ @ 75A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）250W

类型P沟道

VBL2309

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	VBL2309	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VBL2309	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	VBL2309	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBL2309	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBL2309	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	VBL2309	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBL2309	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBL2309	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		586.54 Kbytes	共8页		无

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立创商城	VBL2309	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：P沟道	1+:￥2.89 10+:￥2.13 30+:￥1.99 100+:￥1.85 500+:￥1.79 1000+:￥1.76

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