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VBL1632 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:N沟道
VBL1632的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻23mΩ @ 50A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)150W

类型N沟道

供应商VBL1632
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VBL1632VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:N沟道1+:¥3.55
10+:¥2.62
30+:¥2.45
100+:¥2.28
500+:¥2.2
1000+:¥2.16