VBL1632
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:N沟道
VBL1632的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻23mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)150W
类型N沟道
VBL1632
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VBL1632 | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 941.99 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
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 立创商城 | VBL1632 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:N沟道 | 1+:¥3.55 10+:¥2.62 30+:¥2.45 100+:¥2.28 500+:¥2.2 1000+:¥2.16
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