VBL1154N
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:6V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):160W 类型:N沟道
VBL1154N的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)45A
栅源极阈值电压6V @ 250uA
漏源导通电阻35mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)160W
类型N沟道
VBL1154N
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 立创商城 | VBL1154N | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:6V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):160W 类型:N沟道 | 1+:¥7.44 10+:¥5.48 30+:¥5.12 100+:¥4.76 500+:¥4.6 1000+:¥4.52
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