VBL1405
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:N沟道
VBL1405的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻5mΩ @ 100A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)150W
类型N沟道
VBL1405
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VBL1405 | N-Channel 40 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 706.35 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
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 立创商城 | VBL1405 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:N沟道 | 1+:¥2.42 10+:¥1.79 30+:¥1.67 100+:¥1.55 500+:¥1.5 1000+:¥1.48
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