VBL1806
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 120A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):370W 类型:N沟道
VBL1806的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻6.5mΩ @ 120A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)370W
类型N沟道
VBL1806
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VBL1806 | N-Channel 80 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 703.66 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
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