VBL1310
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W 类型:N沟道
VBL1310的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻12mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)120W
类型N沟道
VBL1310
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VBL1310 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 636.29 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
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 立创商城 | VBL1310 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W 类型:N沟道 | 1+:¥2.48 10+:¥1.83 30+:¥1.71 100+:¥1.6 500+:¥1.54 1000+:¥1.52
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