VBL1104N
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):127W 类型:N沟道
VBL1104N的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)45A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻30mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)127W
类型N沟道
VBL1104N
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VBL1104N的全球分销商及价格
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 立创商城 | VBL1104N | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):127W 类型:N沟道 | 1+:¥3.36 10+:¥2.48 30+:¥2.32 100+:¥2.15 500+:¥2.08 1000+:¥2.05
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