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VBL1303 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：98A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8mΩ @ 98A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道

VBL1303的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）98A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻3.8mΩ @ 98A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）250W

类型N沟道

VBL1303

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深圳市芯幂科技有限公司	VBL1303	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBL1303	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
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深圳市惊羽科技有限公司	VBL1303	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市广鸿发科技有限公司	VBL1303	深圳市福田区华发北路华强广场C座20D	0755-23990123 13652309457	洪	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBL1303	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		596.09 Kbytes	共8页		无

VBL1303的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	VBL1303	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：98A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.8mΩ @ 98A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 类型：N沟道	1+:￥3.31 10+:￥2.44 30+:￥2.28 100+:￥1.908 500+:￥1.845 1000+:￥1.818
立创商城	VBL1303A	VBsemi(台湾微碧)	预售晶体管	1+:￥2.2233 200+:￥0.8604 500+:￥0.8302 1000+:￥0.8153

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