VBL165R18的供应商，VBL165R18规格参数，VBL165R18的PDF资料

VBL165R18 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W 类型：N沟道

VBL165R18的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）18A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻360mΩ @ 11A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）208W

类型N沟道

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VBL165R18	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBL165R18	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市微碧半导体有限公司	VBL165R18	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
万三科技（深圳）有限公司	VBL165R18	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBL165R18	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市源美佳成电子有限公司	VBL165R18	新华强Q2C035	0755-83204865 13715037703	王小姐	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBL165R18	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		701.87 Kbytes	共8页		无

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立创商城	VBL165R18	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W 类型：N沟道	1+:￥8.49 10+:￥6.26 30+:￥5.85 100+:￥5.44 500+:￥5.25 1000+:￥5.16

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