VBL1203M
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):74W 类型:-
VBL1203M的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻300mΩ @ 5.4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)74W
类型-
VBL1203M
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