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VBL1307 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W 类型：N沟道

VBL1307的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）70A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻7.5mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）71W

类型N沟道

VBL1307

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芯莱德电子（香港）有限公司	VBL1307	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VBL1307	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBL1307	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市仓实科技有限公司	VBL1307	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	VBL1307	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBL1307	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

VBL1307及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBL1307	N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		849.82 Kbytes	共10页		无
VBL1307	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		863.06 Kbytes	共10页		无

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销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	VBL1307	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W 类型：N沟道	1+:￥2.85 10+:￥2.1 30+:￥1.96 100+:￥1.647 500+:￥1.593 1000+:￥1.557

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