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Si2399DS-T1 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道
Si2399DS-T1的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）5A(Tc)

栅源极阈值电压1.5V @ 250uA

漏源导通电阻35mΩ @ 5.1A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W(Tc)

类型P沟道

供应商Si2399DS-T1
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深圳市微碧半导体有限公司Si2399DS-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市芯幂科技有限公司SI2399DS-T1-BE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI2399DS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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Si2399DS-T1的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		SI2399DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.241+:￥3.0099
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100+:￥1.66
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Digi-Key 得捷电子		SI2399DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3$0.53000
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Digi-Key 得捷电子		SI2399DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.24
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Mouser 贸泽电子		SI2399DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 12V Vgs SOT-231:¥4.068
10:¥3.0623
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立创商城		Si2399DS-T1VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道5+:￥0.478604
50+:￥0.353654
150+:￥0.330704
500+:￥0.307754
2500+:￥0.297554
5000+:￥0.292514
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立创商城		SI2399DS-T1-GE3VISHAY(威世)预售晶体管1+:￥4
200+:￥1.55
500+:￥1.5
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