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SI2337DS-T1-GE3 /Single P-Channel 80 V 0.27 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-236
SI2337DS-T1-GE3的规格信息
SI2337DS-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.2A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：500pF @ 40V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：760mW（Ta），2.5W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：270 毫欧 @ 1.2A，10V

工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：SOT-23-3

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：80V

连续漏极电流ID：1.2A

漏源极导通电阻RDS(ON)：270mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI2337DS-T1-GE3
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深圳市威雅利发展有限公司SI2337DS-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2337DS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI2337DS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si2337DS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI2337DS-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2337DS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SI2337DS-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2337DS-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI2337DS-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SI2337DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI2337DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2337DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI2337DS-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SI2337DS-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2337DS-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI2337DS-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI2337DS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2337DS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si2337DS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市骏凯诚科技有限公司SI2337DS-T1-GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
SI2337DS-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SI2337DS-T1-GE3P-Channel 80-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO209.35 Kbytes共10页SI2337DS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2337DS-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI2337DS-T1-GE3Siliconix / VishaySI2337DS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 1.75 A; 80 V; 3-Pin TO-236+300:$0.95
+600:$0.89
+1500:$0.82
+3000:$0.72
元器件资料网-Avnet的LOGO
Avnet		SI2337DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 2.2A 2.5W 270mohm @ 10V3000+:￥2.96
6000+:￥2.8
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75000+:￥2.531+:￥5.8599
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15000+:￥3.34
30000+:￥3.3
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI2337DS-T1-GE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.4076
14,999 : $0.3885
29,999 : $0.3841
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI2337DS-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.36
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop		SI2337DS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
RoHS : Compliant		3,000 : $0.434
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2337DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3$1.05000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2337DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-36,000 : $0.3857
3,000 : $0.406
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2337DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 2.2A 2.5W 270mohm @ 10V3000+:￥2.96
6000+:￥2.8
15000+:￥2.7
30000+:￥2.62
75000+:￥2.53
元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific		SI2337DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P CH 80V 2.2A TO-236
RoHS : Compliant		1 : $4.3
10 : $4.06
50 : $3.77
100 : $3.42
500 : $3.2
1,000 : $2.88
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics		SI2337DS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSingle P-Channel 80 V 0.27 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-236
RoHS : Compliant		3,000 : $0.4278
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI2337DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 2.2A 2.5W 270mohm @ 10V3000+:￥2.96
6000+:￥2.8
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2337DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -80V Vds 20V Vgs SOT-231:¥7.7631
10:¥6.4184
100:¥4.9268
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
3,000:¥3.3448
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2337DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 80V 2.2A 2.5W 270mohm @ 10V3000+:￥2.96
6000+:￥2.8
15000+:￥2.7
30000+:￥2.62
75000+:￥2.531+:￥5.8599
10+:￥4.7
100+:￥3.62
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1000+:￥3.12
3000+:￥2.98
6000+:￥2.87
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24000+:￥2.71
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Verical		SI2337DS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R$0.3066
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立创商城		SI2337DS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.2A 漏源电压（Vdss）：-80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：270mΩ @ 1.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：760mW 类型：P沟道1+:￥4.09
10+:￥3.08
30+:￥2.9
100+:￥2.6287
500+:￥2.5511
1000+:￥2.5123
SI2337DS-T1-GE3的相关型号
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