| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Arrow(艾睿) | SI2342DS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:￥1.241+:￥3.0099
10+:￥2.24
100+:￥1.66
500+:￥1.4
1000+:￥1.24
3000+:￥1.1799
6000+:￥1.1799
9000+:￥1.09
24000+:￥1.061+:￥1.29 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2342DS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:￥1.24 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2342DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 | $0.53000 |
Mouser 贸泽电子 | SI2342DS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 8V Vds 5V Vgs SOT-23 | 1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
3,000:¥1.3108
6,000:查看
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Mouser 贸泽电子 | SI2342DS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:￥1.241+:￥3.0099
10+:￥2.24
100+:￥1.66
500+:￥1.4
1000+:￥1.24
3000+:￥1.1799
6000+:￥1.1799
9000+:￥1.09
24000+:￥1.06 |
立创商城 | Si2342DS-T1 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道 | 5+:￥0.45946
50+:￥0.339508
150+:￥0.317476
500+:￥0.295444
2500+:￥0.285652
5000+:￥0.280814
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立创商城 | SI2342DS-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：8V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 7.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥2.24
10+:￥1.65
30+:￥1.54
100+:￥1.43
500+:￥1.38
1000+:￥1.36
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