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SI2366DS-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23
SI2366DS-T1-GE3的规格信息
SI2366DS-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:5.8 A

Rds On-漏源导通电阻:36 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:6.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:13 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:14 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:SI2366DS-GE3

单位重量:8 mg

供应商SI2366DS-T1-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司Si2366DS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2366DS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SI2366DS-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2366DS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si2366DS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2366DS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI2366DS-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城Si2366DS-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2366DS-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SI2366DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI2366DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2366DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2366DS-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI2366DS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI2366DS-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI2366DS-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI2366DS-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si2366DS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市科思奇电子科技有限公司Si2366DS-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI2366DS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
SI2366DS-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SI2366DS-T1-GE3MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO237.25 Kbytes共10页SI2366DS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2366DS-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO200.60 Kbytes共9页SI2366DS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2366DS-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：36mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO238.12 Kbytes共10页SI2366DS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2366DS-T1-GE3SI2366DS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 5.8 A; 30 V; 3-Pin SOT-23Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO200.60 Kbytes共9页SI2366DS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2366DS-T1-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI2366DS-T1-GE3Siliconix / VishaySI2366DS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 5.8 A; 30 V; 3-Pin SOT-23+3000:$0.50
+6000:$0.43
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI2366DS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.131+:￥2.72
10+:￥2.03
100+:￥1.51
500+:￥1.28
1000+:￥1.13
3000+:￥1.08
6000+:￥1.08
9000+:￥0.9901
24000+:￥0.963000+:￥0.731+:￥1.1799
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI2366DS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.131+:￥2.72
10+:￥2.03
100+:￥1.51
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1000+:￥1.13
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24000+:￥0.963000+:￥0.73
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2366DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3$0.48000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2366DS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.13
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2366DS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.131+:￥2.72
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24000+:￥0.96
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2366DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-231:¥4.1471
10:¥3.4804
100:¥2.6103
500:¥1.9097
3,000:¥1.3108
6,000:查看
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SI2366DS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30 Volts 5.8 Amps 2.1 Watts FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.131+:￥2.72
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24000+:￥0.963000+:￥0.731+:￥1.17991+:￥0.8
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI2366DS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：36mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道1+:￥3.34
10+:￥2.47
30+:￥2.31
100+:￥2.15
500+:￥2.07
1000+:￥2.04
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