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SI2347DS-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
SI2347DS-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:5 A

Rds On-漏源导通电阻:33 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:22 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

系列:SI2

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:10 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:6 ns

单位重量:8 mg

供应商SI2347DS-T1-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI2347DS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI2347DS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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芯莱德电子(香港)有限公司SI2347DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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郑小姐Email:sam@678ic.com询价
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深圳市成源运利电子科技有限公司Si2347DS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳和润天下电子科技有限公司SI2347DS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si2347DS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市斌腾达科技有限公司SI2347DS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市星宇佳科技有限公司SI2347DS-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
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SI2347DS-T1-GE3P-Channel 30 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1046.96 Kbytes共9页SI2347DS-T1-GE3的PDF下载地址
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Allied Electronics
SI2347DS-T1-GE3Siliconix / Vishay-30V .042Ohm@10V 5A P-Ch G-III+3000:$0.22
+6000:$0.21
+12000:$0.15
+24000:$0.13
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Arrow(艾睿)
SI2347DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -30V .042Ohm@10V 5A P-Ch G-III3000+:¥0.661+:¥2.78
10+:¥1.64
100+:¥0.96
500+:¥0.78
1000+:¥0.6
3000+:¥0.6
6000+:¥0.56
9000+:¥0.54
24000+:¥0.541+:¥0.6501
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Digi-Key 得捷电子
SI2347DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -30V .042Ohm@10V 5A P-Ch G-III3000+:¥0.66
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Mouser 贸泽电子
SI2347DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-231:¥3.7629
10:¥2.1809
100:¥1.2769
500:¥1.03734
3,000:¥0.69156
6,000:查看
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Mouser 贸泽电子
SI2347DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -30V .042Ohm@10V 5A P-Ch G-III3000+:¥0.661+:¥2.78
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24000+:¥0.54
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立创商城
SI2347DS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:42mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W(Tc) 类型:P沟道1+:¥2.2
10+:¥1.66
30+:¥1.56
100+:¥1.46
500+:¥1.42
1000+:¥1.4