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SI2342DS-T1-GE3 /MOSFET 8V Vds 5V Vgs SOT-23
SI2342DS-T1-GE3的规格信息
SI2342DS-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:8 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:17 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:350 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:10.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:75 S

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:65 ns

典型接通延迟时间:6 ns

单位重量:8 mg

供应商SI2342DS-T1-GE3
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深圳市微碧半导体有限公司Si2342DS-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2342DS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI2342DS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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上海三崧电子有限公司SI2342DS-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市坤融电子有限公司SI2342DS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
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深圳市高捷芯城科技有限公司SI2342DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SI2342DS-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市斌腾达科技有限公司SI2342DS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市成源运利电子科技有限公司Si2342DS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市辰芯伟业科技有限公司Si2342DS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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芯莱德电子（香港）有限公司SI2342DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市赛美科科技有限公司SI2342DS-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI2342DS-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
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深圳市百域芯科技有限公司SI2342DS-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI2342DS-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SI2342DS-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2342DS-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市大源实业科技有限公司SI2342DS-T1-GE3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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立创商城		SI2342DS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：8V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 7.2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：N沟道1+:￥2.24
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