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SI2369DS-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2369DS-T1-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:7.6 A

Rds On-漏源导通电阻:29 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:17 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

系列:SI2

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:18 S

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:13 ns

单位重量:8 mg

SI2369DS-T1-GE3

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市微碧半导体有限公司	SI2369DS-T1-GE3-VB	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
集好芯城	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市坤融电子有限公司	SI2369DS-T1-GE3	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
集好芯城	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市成源运利电子科技有限公司	Si2369DS-T1-GE3	深圳市福田区华强路东方时代广场A2705	159-13992480 15913992480	林先生	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	Si2369DS-T1-GE3	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
深圳市骏凯诚科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室	0755-82731802 13652405995	朱小姐	询价
深圳市百域芯科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	世纪汇都会轩4507	0755-82788062 18126442734	梁小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
SI2369DS-T1-GE3	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		1046.96 Kbytes	共9页		无

SI2369DS-T1-GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	SI2369DS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品	3000+:￥1.02 6000+:￥0.96 15000+:￥0.89 30000+:￥0.8399 75000+:￥0.8201 150000+:￥0.791+:￥2.44 10+:￥1.8399 100+:￥1.37 500+:￥1.15 1000+:￥1.02 3000+:￥0.98 6000+:￥0.98 9000+:￥0.9 24000+:￥0.871+:￥1.17
Digi-Key 得捷电子	SI2369DS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品	3000+:￥1.02 6000+:￥0.96 15000+:￥0.89 30000+:￥0.8399 75000+:￥0.8201 150000+:￥0.79
Mouser 贸泽电子	SI2369DS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23	1:¥3.2996 10:¥2.5086 100:¥1.8645 500:¥1.5368 3,000:¥1.08367 6,000:查看
Mouser 贸泽电子	SI2369DS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品	3000+:￥1.02 6000+:￥0.96 15000+:￥0.89 30000+:￥0.8399 75000+:￥0.8201 150000+:￥0.791+:￥2.44 10+:￥1.8399 100+:￥1.37 500+:￥1.15 1000+:￥1.02 3000+:￥0.98 6000+:￥0.98 9000+:￥0.9 24000+:￥0.87
立创商城	SI2369DS-T1-GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.6A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道	1+:￥1.532 10+:￥1.176 30+:￥1.1105 100+:￥1.013747 500+:￥0.985617 1000+:￥0.971649

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