| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Allied Electronics | SI2347DS-T1-GE3 | Siliconix / Vishay | -30V .042Ohm@10V 5A P-Ch G-III | +3000:$0.22
+6000:$0.21
+12000:$0.15
+24000:$0.13 |
Arrow(艾睿) | SI2347DS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -30V .042Ohm@10V 5A P-Ch G-III | 3000+:￥0.661+:￥2.78
10+:￥1.64
100+:￥0.96
500+:￥0.78
1000+:￥0.6
3000+:￥0.6
6000+:￥0.56
9000+:￥0.54
24000+:￥0.541+:￥0.6501 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2347DS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -30V .042Ohm@10V 5A P-Ch G-III | 3000+:￥0.66 |
Mouser 贸泽电子 | SI2347DS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23 | 1:¥3.7629
10:¥2.1809
100:¥1.2769
500:¥1.03734
3,000:¥0.69156
6,000:查看
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Mouser 贸泽电子 | SI2347DS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -30V .042Ohm@10V 5A P-Ch G-III | 3000+:￥0.661+:￥2.78
10+:￥1.64
100+:￥0.96
500+:￥0.78
1000+:￥0.6
3000+:￥0.6
6000+:￥0.56
9000+:￥0.54
24000+:￥0.54 |
立创商城 | SI2347DS | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道 | 5+:￥0.45946
50+:￥0.339508
150+:￥0.317476
500+:￥0.295444
2500+:￥0.285652
5000+:￥0.280814
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立创商城 | SI2347DS-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 类型：P沟道 | 1+:￥2.2
10+:￥1.66
30+:￥1.56
100+:￥1.46
500+:￥1.42
1000+:￥1.4
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