| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Allied Electronics | SI2356DS-T1-GE3 | Siliconix / Vishay | 40V .051ohm@10V 4.3A N-Ch T-FET | +25:$0.25
+250:$0.24
+500:$0.23
+750:$0.22 |
Arrow(艾睿) | SI2356DS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V .051ohm@10V 4.3A N-Ch T-FET | 3000+:￥0.79
6000+:￥0.74
15000+:￥0.7
30000+:￥0.64
75000+:￥0.62
150000+:￥0.591+:￥2.49
10+:￥1.66
100+:￥1.03
500+:￥0.92
1000+:￥0.79
3000+:￥0.72
6000+:￥0.71
9000+:￥0.71
24000+:￥0.65011+:￥0.85 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2356DS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V .051ohm@10V 4.3A N-Ch T-FET | 3000+:￥0.79
6000+:￥0.74
15000+:￥0.7
30000+:￥0.64
75000+:￥0.62
150000+:￥0.59 |
Digi-Key 得捷电子 | SI2356DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236 | $0.42000 |
Mouser 贸泽电子 | SI2356DS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V Vds 12V Vgs SOT-23 | 1:¥3.3787
10:¥2.26
100:¥1.5255
500:¥1.2204
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.92208
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Mouser 贸泽电子 | SI2356DS-T1-GE3 | Vishay | FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V .051ohm@10V 4.3A N-Ch T-FET | 3000+:￥0.79
6000+:￥0.74
15000+:￥0.7
30000+:￥0.64
75000+:￥0.62
150000+:￥0.591+:￥2.49
10+:￥1.66
100+:￥1.03
500+:￥0.92
1000+:￥0.79
3000+:￥0.72
6000+:￥0.71
9000+:￥0.71
24000+:￥0.6501 |
立创商城 | SI2356DS | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 类型：N沟道 | 5+:￥0.527231
50+:￥0.389586
150+:￥0.364304
500+:￥0.339022
2500+:￥0.327786
5000+:￥0.322234
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立创商城 | SI2356DS-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：51mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.1744
10+:￥0.9123
30+:￥0.8642
100+:￥0.79152
500+:￥0.770762
1000+:￥0.760577
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