SI2369DS-T1的供应商，SI2369DS-T1规格参数，SI2369DS-T1的PDF资料

SI2369DS-T1 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道

SI2369DS-T1的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）5.6A(Tc)

栅源极阈值电压2V @ 250uA

漏源导通电阻55mΩ @ 4.4A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W(Tc)

类型P沟道

SI2369DS-T1

SI2369DS-T1的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市微碧半导体有限公司	SI2369DS-T1-GE3-VB	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SI2369DS-T1-BE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市坤融电子有限公司	SI2369DS-T1-GE3	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市百域芯科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	世纪汇都会轩4507	0755-82788062 18126442734	梁小姐	询价
集好芯城	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
集好芯城	SI2369DS-T1-E3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SI2369DS-T1-BE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
深圳市水星电子有限公司	SI2369DS-T1-GE3	地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B	0755-89585609 13632880560	李	询价
深圳市赛美科科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	Si2369DS-T1-GE3	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市成源运利电子科技有限公司	Si2369DS-T1-GE3	深圳市福田区华强路东方时代广场A2705	159-13992480 15913992480	林先生	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	SI2369DS-T1-GE3	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价

SI2369DS-T1及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SI2369DS-T1	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道	VBsemi(台湾微碧)	905.72 Kbytes	共9页	无
SI2369DS-T1-BE3	表面贴装型 P 通道 30 V 5.4A（Ta），7.6A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）	Vishay Siliconix	197.97 Kbytes	共9页	无
SI2369DS-T1-GE3	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1046.96 Kbytes	共9页	无

SI2369DS-T1的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	SI2369DS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品	3000+:￥1.02 6000+:￥0.96 15000+:￥0.89 30000+:￥0.8399 75000+:￥0.8201 150000+:￥0.791+:￥2.44 10+:￥1.8399 100+:￥1.37 500+:￥1.15 1000+:￥1.02 3000+:￥0.98 6000+:￥0.98 9000+:￥0.9 24000+:￥0.871+:￥1.17
Digi-Key 得捷电子	SI2369DS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品	3000+:￥1.02 6000+:￥0.96 15000+:￥0.89 30000+:￥0.8399 75000+:￥0.8201 150000+:￥0.79
Mouser 贸泽电子	SI2369DS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23	1:¥3.2996 10:¥2.5086 100:¥1.8645 500:¥1.5368 3,000:¥1.08367 6,000:查看
Mouser 贸泽电子	SI2369DS-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品	3000+:￥1.02 6000+:￥0.96 15000+:￥0.89 30000+:￥0.8399 75000+:￥0.8201 150000+:￥0.791+:￥2.44 10+:￥1.8399 100+:￥1.37 500+:￥1.15 1000+:￥1.02 3000+:￥0.98 6000+:￥0.98 9000+:￥0.9 24000+:￥0.87
立创商城	SI2369DS-T1	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道	5+:￥0.432659 50+:￥0.319704 150+:￥0.298957 500+:￥0.27821 2500+:￥0.268989 5000+:￥0.264433
立创商城	SI2369DS-T1-GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.6A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道	1+:￥1.532 10+:￥1.176 30+:￥1.1105 100+:￥1.013747 500+:￥0.985617 1000+:￥0.971649

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