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SI2338DS-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23
SI2338DS-T1-GE3的规格信息
SI2338DS-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:8.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:24 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:3 ns

零件号别名:SI2338DS-GE3

单位重量:8 mg

供应商SI2338DS-T1-GE3
SI2338DS-T1-GE3的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI2338DS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2338DS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司Si2338DS-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2338DS-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2338DS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市德州众泰科技有限公司SI2338DS-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
13360063783		廖小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI2338DS-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
集好芯城SI2338DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI2338DS-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI2338DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2338DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2338DS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si2338DS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI2338DS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI2338DS-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si2338DS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI2338DS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SI2338DS-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市大源实业科技有限公司SI2338DS-T1-GE3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
15302619915，13762584085		李小姐Email:dysykj005@foxmail.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2338DS-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
SI2338DS-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SI2338DS-T1-GE3N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1025.46 Kbytes共9页SI2338DS-T1-GE3的PDF下载地址无
Si2338DS-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 类型：N沟道VBsemi(台湾微碧)VBsemi(台湾微碧)的LOGO848.21 Kbytes共9页Si2338DS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2338DS-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI2338DS-T1-GE3Siliconix / VishaySi2338DS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23+3000:$0.53
+6000:$0.50
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI2338DS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts1+:￥4.08
10+:￥3.45
25+:￥3.02
100+:￥2.59
250+:￥2.24
500+:￥1.9
1000+:￥1.471+:￥3.13
10+:￥2.3301
100+:￥1.73
500+:￥1.47
1000+:￥1.3
3000+:￥1.24
6000+:￥1.24
9000+:￥1.14
24000+:￥1.111+:￥1.3499
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2338DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 6A SOT23$0.55000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2338DS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts1+:￥4.08
10+:￥3.45
25+:￥3.02
100+:￥2.59
250+:￥2.24
500+:￥1.9
1000+:￥1.47
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2338DS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts1+:￥4.08
10+:￥3.45
25+:￥3.02
100+:￥2.59
250+:￥2.24
500+:￥1.9
1000+:￥1.471+:￥3.13
10+:￥2.3301
100+:￥1.73
500+:￥1.47
1000+:￥1.3
3000+:￥1.24
6000+:￥1.24
9000+:￥1.14
24000+:￥1.11
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2338DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-231:¥4.1471
10:¥3.1979
100:¥2.373
500:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.5029
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SI2338DS-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts1+:￥4.08
10+:￥3.45
25+:￥3.02
100+:￥2.59
250+:￥2.24
500+:￥1.9
1000+:￥1.471+:￥3.13
10+:￥2.3301
100+:￥1.73
500+:￥1.47
1000+:￥1.3
3000+:￥1.24
6000+:￥1.24
9000+:￥1.14
24000+:￥1.111+:￥1.34991+:￥1.23
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI2338DS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：N沟道1+:￥2.34
10+:￥1.75
30+:￥1.64
100+:￥1.4938
500+:￥1.4453
1000+:￥1.4162
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		Si2338DS-T1-GE3VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 类型：N沟道5+:￥0.444237
50+:￥0.325784
150+:￥0.304028
500+:￥0.282271
2500+:￥0.272602
5000+:￥0.267824
SI2338DS-T1-GE3的相关型号
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