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SQD50P04-13L_GE3 /MOSFET 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified
SQD50P04-13L_GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:80 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

系列:SQ

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:61 S

下降时间:16 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:600 mg

供应商SQD50P04-13L_GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SQD50P04-13L-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SQD50P04-13L_GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SQD50P04-13L-GE3深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
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17318082080,13510287235
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集好芯城SQD50P04-13L_GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市骏凯诚科技有限公司SQD50P04-13L_GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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深圳市宇浩扬科技有限公司SQD50P04-13L_GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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SQD50P04-13L_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 50A TO252$3.08000
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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