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SQD50N06-09L_GE3 /MOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
SQD50N06-09L_GE3的规格信息
SQD50N06-09L_GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:7.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:72 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:62 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:1.438 g

供应商SQD50N06-09L_GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SQD50N06-09L-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SQD50N06-09L-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
芯莱德电子（香港）有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司SQD50N06-09L-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
上海三崧电子有限公司SQD50N06-09L_GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SQD50N06-09L-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SQD50N06-09L_GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
集好芯城SQD50N06-09L-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SQD50N06-09L-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SQD50N06-09L-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SQD50N06-09L_GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市大源实业科技有限公司SQD50N06-09L-GE3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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SQD50N06-09L_GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SQD50N06-09L_GE3MOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 QualifiedVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO160.19 Kbytes共9页SQD50N06-09L_GE3的PDF下载地址无
SQD50N06-09L_GE3MOSFET N-CH 60V 50A TO252Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO157.20 Kbytes共9页SQD50N06-09L_GE3的PDF下载地址无
SQD50N06-09L_GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO158.91 Kbytes共9页SQD50N06-09L_GE3的PDF下载地址无
SQD50N06-09L-GE3Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/RVISHAYVISHAY的LOGO157.20 Kbytes共9页SQD50N06-09L-GE3的PDF下载地址无
SQD50N06-09L_GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SQD50N06-09L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:￥15.86011+:￥12.74
10+:￥10.59
100+:￥9.55
250+:￥8.51
500+:￥7.96
1000+:￥7.56
2000+:￥7.4
6000+:￥7.16
10000+:￥6.922000+:￥4.631+:￥4.36
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SQD50N06-09L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:￥15.86011+:￥12.74
10+:￥10.59
100+:￥9.55
250+:￥8.51
500+:￥7.96
1000+:￥7.56
2000+:￥7.4
6000+:￥7.16
10000+:￥6.922000+:￥4.63
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SQD50N06-09L_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A TO252$4.78000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SQD50N06-09L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:￥15.8601
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SQD50N06-09L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:￥15.86011+:￥12.74
10+:￥10.59
100+:￥9.55
250+:￥8.51
500+:￥7.96
1000+:￥7.56
2000+:￥7.4
6000+:￥7.16
10000+:￥6.92
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SQD50N06-09L_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified1:¥44.409
10:¥39.6517
100:¥32.4988
250:¥28.815
2,000:¥20.4417
4,000:查看
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SQD50N06-09L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:￥15.86011+:￥12.74
10+:￥10.59
100+:￥9.55
250+:￥8.51
500+:￥7.96
1000+:￥7.56
2000+:￥7.4
6000+:￥7.16
10000+:￥6.922000+:￥4.631+:￥4.361+:￥11.11
10+:￥9.59
25+:￥9.5201
100+:￥8.82
250+:￥8.14
500+:￥8.07
1000+:￥8.0101
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SQD50N06-09L_GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 类型：N沟道1+:￥30.21
10+:￥29.33
SQD50N06-09L_GE3的相关型号
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