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SQD40N10-25-T4_GE3 /MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD70140EL_GE3
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:5.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:55 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:71 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标:Vishay / Siliconix

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

供应商SQD40N10-25-T4_GE3
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SQD40N10-25-T4_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-2522,500:¥4.6443
5,000:¥4.407
10,000:¥4.2375