SQD40N10-25-T4_GE3
/MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD70140EL_GE3
SQD40N10-25-T4_GE3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:50 A
Rds On-漏源导通电阻:5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:55 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:71 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
商标:Vishay / Siliconix
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1
子类别:MOSFETs
SQD40N10-25-T4_GE3
SQD40N10-25-T4_GE3的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | SQD40N10-25-T4_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA | $0.66528 |
 Mouser 贸泽电子 | SQD40N10-25-T4_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-252 | 2,500:¥4.6443 5,000:¥4.407 10,000:¥4.2375
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