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SQD50N06-09L /MOS(场效应管)
SQD50N06-09L的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻10mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)136W(Tc)

类型N沟道

供应商SQD50N06-09L
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现代芯城(深圳)科技有限公司SQD50N06-09Lwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SQD50N06-09L-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668
许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
芯莱德电子(香港)有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司SQD50N06-09L航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SQD50N06-09L上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
上海三崧电子有限公司SQD50N06-09L_GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344
樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SQD50N06-09L-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SQD50N06-09L_GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
集好芯城SQD50N06-09L深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SQD50N06-09L-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734
梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SQD50N06-09L-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SQD50N06-09L_GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SQD50N06-09L_GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
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SQD50N06-09LAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 °C MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO234.35 Kbytes共11页SQD50N06-09L的PDF下载地址
SQD50N06-09LAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO179.68 Kbytes共10页SQD50N06-09L的PDF下载地址
SQD50N06-09LAutomotive P-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO180.26 Kbytes共10页SQD50N06-09L的PDF下载地址
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SQD50N06-09L_15Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO162.12 Kbytes共10页SQD50N06-09L_15的PDF下载地址
SQD50N06-09L_GE3MOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 QualifiedVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO160.19 Kbytes共9页SQD50N06-09L_GE3的PDF下载地址
SQD50N06-09L_GE3MOSFET N-CH 60V 50A TO252Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO157.20 Kbytes共9页SQD50N06-09L_GE3的PDF下载地址
SQD50N06-09L_GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W(Tc) 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO158.91 Kbytes共9页SQD50N06-09L_GE3的PDF下载地址
SQD50N06-09L-GE3Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/RVISHAYVISHAY的LOGO157.20 Kbytes共9页SQD50N06-09L-GE3的PDF下载地址
SQD50N06-09L的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
SQD50N06-09L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥15.86011+:¥12.74
10+:¥10.59
100+:¥9.55
250+:¥8.51
500+:¥7.96
1000+:¥7.56
2000+:¥7.4
6000+:¥7.16
10000+:¥6.922000+:¥4.631+:¥4.36
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ChipOneStop
SQD50N06-09L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥15.86011+:¥12.74
10+:¥10.59
100+:¥9.55
250+:¥8.51
500+:¥7.96
1000+:¥7.56
2000+:¥7.4
6000+:¥7.16
10000+:¥6.922000+:¥4.63
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Digi-Key 得捷电子
SQD50N06-09L_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A TO252$4.78000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SQD50N06-09L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥15.8601
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
SQD50N06-09L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥15.86011+:¥12.74
10+:¥10.59
100+:¥9.55
250+:¥8.51
500+:¥7.96
1000+:¥7.56
2000+:¥7.4
6000+:¥7.16
10000+:¥6.92
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
SQD50N06-09L_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified1:¥44.409
10:¥39.6517
100:¥32.4988
250:¥28.815
2,000:¥20.4417
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Verical
SQD50N06-09L-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品2000+:¥15.86011+:¥12.74
10+:¥10.59
100+:¥9.55
250+:¥8.51
500+:¥7.96
1000+:¥7.56
2000+:¥7.4
6000+:¥7.16
10000+:¥6.922000+:¥4.631+:¥4.361+:¥11.11
10+:¥9.59
25+:¥9.5201
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250+:¥8.14
500+:¥8.07
1000+:¥8.0101
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立创商城
SQD50N06-09LVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥2.02
10+:¥1.49
30+:¥1.39
100+:¥1.3
500+:¥1.25
1000+:¥1.23
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立创商城
SQD50N06-09L_GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W(Tc) 类型:N沟道1+:¥30.21
10+:¥29.33