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SQD40N10-25_GE3 /MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD70140EL_GE3
SQD40N10-25_GE3的规格信息
SQD40N10-25_GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:70 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:73 S

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:1.438 g

供应商SQD40N10-25_GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SQD40N10-25-GE3深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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集好芯城SQD40N10-25-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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