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SQD50N10-8M9L_GE3 /MOSFET 100V 50A 45watt AEC-Q101 Qualified
SQD50N10-8M9L_GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:8.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:46 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:67 S

下降时间:120 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:95 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:1.438 g

供应商SQD50N10-8M9L_GE3
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司SQD50N10-8M9L_GE3深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市芯幂科技有限公司SQD50N10-8M9L_GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SQD50N10-8M9L_GE3www.nowchip.com0755-27381274
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现代芯城（深圳）科技有限公司SQD50N10-8M9L-GE3深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
19924492152		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SQD50N10-8M9L_GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市坤融电子有限公司SQD50N10-8M9L_GE3航都大厦10I0755-23990975
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深圳市天卓伟业电子有限公司SQD50N10-8m9L_GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市赛美科科技有限公司SQD50N10-8M9L-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市星宇佳科技有限公司SQD50N10-8M9L_GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市芯泽盛世科技有限公司SQD50N10-8M9L_GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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集好芯城SQD50N10-8M9L_GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SQD50N10-8M9L_GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SQD50N10-8M9L_GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SQD50N10-8M9L_GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SQD50N10-8M9L_GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SQD50N10-8M9L_GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SQD50N10-8m9L_GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SQD50N10-8M9L_GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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SQD50N10-8m9L_GE3MOSFET 100V 50A 45watt AEC-Q101 QualifiedVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO163.59 Kbytes共9页SQD50N10-8m9L_GE3的PDF下载地址无
SQD50N10-8M9L_GE3MOSFET N-CHAN 100V TO252Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO160.59 Kbytes共9页SQD50N10-8M9L_GE3的PDF下载地址无
SQD50N10-8M9L_GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO160.82 Kbytes共9页SQD50N10-8M9L_GE3的PDF下载地址无
SQD50N10-8M9L_GE3的全球分销商及价格
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Mouser 贸泽电子		SQD50N10-8m9L_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V 50A 45watt AEC-Q101 Qualified1:¥13.8312
10:¥12.2944
100:¥9.7632
500:¥7.6727
2,000:¥5.5144
4,000:查看
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立创商城		SQD50N10-8M9L_GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 类型：N沟道1+:￥16.96
10+:￥14.71
30+:￥14.29
100+:￥13.88
500+:￥13.69
1000+:￥13.46
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