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SQD50P03-07_GE3 /MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
SQD50P03-07_GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:146 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

系列:SQ

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:52 S

下降时间:28 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:63 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:340 mg

供应商SQD50P03-07_GE3
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Mouser 贸泽电子		SQD50P03-07_GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified1:¥19.3682
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