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SQD50N04-5m6_GE3 /MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
SQD50N04-5m6_GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:4.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:85 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:71 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.73 mm

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:80 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:19 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:9 ns

单位重量:340 mg

供应商SQD50N04-5m6_GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SQD50N04-5M6-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SQD50N04-5M6_GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SQD50N04-5M6_GE3航都大厦10I0755-23990975
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深圳市辉华拓展电子有限公司SQD50N04-5M6_GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SQD50N04-5m6_GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市宇浩扬科技有限公司SQD50N04-5M6_GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SQD50N04-5m6_GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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Digi-Key 得捷电子		SQD50N04-5M6_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 50A TO252AA$1.76000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SQD50N04-5m6_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified1:¥12.8368
10:¥10.6785
100:¥8.2942
500:¥7.2659
2,000:¥5.6048
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