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SQD50N04-4M5L-GE3 /Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD50N04-4M5L-GE3, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
SQD50N04-4M5L-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

通道类型：N

最大连续漏极电流：50 A

最大漏源电压：40 V

最大漏源电阻值：6.8 m0hms

最小栅阈值电压：1.5V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：DPAK (TO-252)

安装类型：表面贴装

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

最大功率耗散：136 W

典型接通延迟时间：9 ns

典型关断延迟时间：39 ns

典型输入电容值@Vds：4880 pF @ 25 V

典型栅极电荷@Vgs：85 nC @ 10 V

晶体管材料：Si

系列：SQ Rugged

宽度：6.22mm

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+175 °C

长度：6.73mm

高度：2.38mm

尺寸：6.73 x 6.22 x 2.38mm

汽车标准：AEC-Q101

每片芯片元件数目：1

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SQD50N04-4M5L-GE3
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