SQD40P10-40L_GE3
/MOSFET -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified
SQD40P10-40L_GE3的规格信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:38 A
Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:96 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:136 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:2.38 mm
长度:6.73 mm
系列:SQ
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:6.22 mm
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:35 S
下降时间:15 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:11 ns
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:78 ns
典型接通延迟时间:11 ns
单位重量:340 mg
SQD40P10-40L_GE3
SQD40P10-40L_GE3的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Mouser 贸泽电子 | SQD40P10-40L_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified | 1:¥21.5152 10:¥17.8992 100:¥13.8312 500:¥12.1362 2,000:¥9.379 4,000:查看
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 立创商城 | SQD40P10-40L_GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 8.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W 类型:P沟道 | 1+:¥20.86 10+:¥17.99 30+:¥17.47 100+:¥16.94 500+:¥16.71 1000+:¥16.42
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