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SQD50N06-09L-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SQD50N06-09L-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3065pF @ 25V

功率 - 最大值:136W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

供应商SQD50N06-09L-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SQD50N06-09L-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市微碧半导体有限公司SQD50N06-09L-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市坤融电子有限公司SQD50N06-09L-GE3航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SQD50N06-09L-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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10+:¥10.59
100+:¥9.55
250+:¥8.51
500+:¥7.96
1000+:¥7.56
2000+:¥7.4
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10+:¥9.59
25+:¥9.5201
100+:¥8.82
250+:¥8.14
500+:¥8.07
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