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SI5443DC-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI5443DC-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.6A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 3.6A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250µA(最小)

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.3W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

供应商器件封装:1206-8 ChipFET?

供应商SI5443DC-T1-GE3
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SI5443DC-T1-GE3MOSFET 20V 4.9A 2.5W 65mohm @ 4.5VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO88.93 Kbytes共5页SI5443DC-T1-GE3的PDF下载地址
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SI5443DC-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.971+:¥7.88
10+:¥6.32
100+:¥4.8599
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SI5443DC-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.9A 2.5W 65mohm @ 4.5V3,000:¥4.1923
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SI5443DC-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.971+:¥7.88
10+:¥6.32
100+:¥4.8599
500+:¥4.3
1000+:¥4.1999
3000+:¥4.0101
6000+:¥3.8599
9000+:¥3.76
24000+:¥3.64