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SI5410DU-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI5410DU-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 6.6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1350pF @ 20V

功率 - 最大值:31W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® CHIPFET? 单

供应商器件封装:PowerPAK® ChipFET 单通道

其它名称:SI5410DU-T1-GE3TRSI5410DUT1GE3

供应商SI5410DU-T1-GE3
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SI5410DU-T1-GE3N-Channel 40-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO110.49 Kbytes共7页SI5410DU-T1-GE3的PDF下载地址SUM110N04-05H,SUP85N04-04,SUM110N04-03L,SI4908DY,SI7962DP,SUD50N04-25P,SUD50N04-06P,SI3438DV,SIE812DF,SIA414DJ
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SI5410DU-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 12A 31W 18mohm @ 10V3000+:¥3.46
6000+:¥3.28
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SI5410DU-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.4428
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SI5410DU-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.4724
14,999 : $0.4557
29,999 : $0.4447
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SI5410DU-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 12A 31W 18mohm @ 10V3000+:¥3.46
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SI5410DU-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 12A PPAKObsolete
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SI5410DU-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 12A 31W 18mohm @ 10V3000+:¥3.46
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SI5410DU-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 12A 31W 18mohm @ 10V3000+:¥3.46
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