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SI5441DC-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI5441DC-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.9A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 3.9A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.3W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

供应商器件封装:1206-8 ChipFET?

供应商SI5441DC-T1-E3
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SI5441DC-T1-E3P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO66.48 Kbytes共4页SI5441DC-T1-E3的PDF下载地址SI6433BDQ,SI5443DC,SI1039X,SI4493DY,SI5903DC,SI2301ADS,SI4562DY,SI1303DL,SI1903DL,SI6562DQ
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