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SI5441BDC-T1-E3 /Single P-Channel 20 V 0.045 Ohms Surface Mount Power Mosfet - 1206-8 ChipFET
SI5441BDC-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.4A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):22nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

功率耗散(最大值):1.3W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):45 毫欧 @ 4.4A,4.5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

封装形式Package:ChipFET-8

极性Polarity:P-CH

漏源极击穿电压VDSS:20V

连续漏极电流ID:4.4A

漏源极导通电阻RDS(ON):45mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI5441BDC-T1-E3
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深圳市宇浩扬科技有限公司SI5441BDC-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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SI5441BDC-T1-E3P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO94.15 Kbytes共6页SI5441BDC-T1-E3的PDF下载地址SI4562DY_06,SI1303DL_08,SI1403BDL,SI9934DY,SI1903DL_08,SI3441BDV_08,SI4963BDY_07,SI2301BDS_08,SI6433BDQ_08,SI9933BDY
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SI5441BDC-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET, Power,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.036Ohm,ID -4.4A,1206-8 ChipFET,PD 1.3W+3000:$0.76
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SI5441BDC-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.461+:¥5.22
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SI5441BDC-T1-E3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.5222
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Avnet Express
SI5441BDC-T1-E3Vishay SiliconixTRANS MOSFET P-CH 20V 4.4A 8PIN CHIPFET - Tape and Reel3,000 : $0.2492
14,999 : $0.2421
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SI5441BDC-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-83,000 : $0.476
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Digi-Key 得捷电子
SI5441BDC-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.46
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SI5441BDC-T1-E3Vishay IntertechnologiesSingle P-Channel 20 V 0.045 Ohms Surface Mount Power Mosfet - 1206-8 ChipFET
RoHS : Compliant
3,000 : $0.2333
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Mouser 贸泽电子
SI5441BDC-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V1:¥6.7574
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Mouser 贸泽电子
SI5441BDC-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.461+:¥5.22
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