系列：TrenchFET®
FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：25A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：120nC @ 8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：4300pF @ 10V
Vgs（最大值）：±8V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），31W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：9.8 毫欧 @ 10A，4.5V
工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK® CHIPFET™ 单
封装形式Package：PowerPak-8
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：20V
连续漏极电流ID：25A
漏源极导通电阻RDS(ON)：9.8mOhms
栅源极阀值电压VGS(th)：0.4Vto1V
无铅情况/RoHs：否