SI5402DC-T2
/MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V
SI5402DC-T2的规格信息
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：35 mOhms
导通电阻：35 mOhms
配置：Single
最大工作温度：+ 150 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：1206-8 ChipFET
封装：Tube
商标：Vishay / Siliconix
下降时间：10 ns
最小工作温度：- 55 C
功率耗散：2.5 W
上升时间：10 ns
商标名：TrenchFET
典型关闭延迟时间：25 ns
ROHS： 含铅
SI5402DC-T2
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| SI5402DC-T2 | MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V | Vishay / Siliconix |  | 115.72 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
SI5402DC-T2的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | SI5402DC-T2 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V | 价格未公开 |