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SI5402DC-T2 /MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类:MOSFET

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:30 V

闸/源击穿电压:+/- 20 V

漏极连续电流:35 mOhms

导通电阻:35 mOhms

配置:Single

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:1206-8 ChipFET

封装:Tube

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:10 ns

最小工作温度:- 55 C

功率耗散:2.5 W

上升时间:10 ns

商标名:TrenchFET

典型关闭延迟时间:25 ns

ROHS: 含铅

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