系列：TrenchFET®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：25A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：120nC @ 8V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：4300pF @ 10V

Vgs（最大值）：±8V

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），31W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：9.6 毫欧 @ 10A，4.5V

工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® CHIPFET™ 单

封装形式Package：PowerPak-8

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：25A

漏源极导通电阻RDS(ON)：9.6mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：1V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs