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SI5433BDC-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI5433BDC-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.8A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):37 毫欧 @ 4.8A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.3W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

供应商器件封装:1206-8 ChipFET?

其它名称:SI5433BDC-T1-E3TRSI5433BDCT1E3

供应商SI5433BDC-T1-E3
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SI5433BDC-T1-E3P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO93.84 Kbytes共6页SI5433BDC-T1-E3的PDF下载地址SI5945DU,SI1913EDH_08,SI3493BDV,SI7601DN,SI1067X,SI3495DV_08,SI7703EDN,SI6983DQ,SI1069X,SI1967DH
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SI5433BDC-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 6.7A 2.5W1+:¥7.64
10+:¥6.72
25+:¥6.08
100+:¥5.31
250+:¥4.6701
500+:¥4.13
1000+:¥3.271+:¥6.38
10+:¥5.04
100+:¥4.5199
250+:¥3.94
500+:¥3.48
1000+:¥3.12
3000+:¥2.87
6000+:¥2.8401
12000+:¥2.71+:¥6.24
10+:¥5.62
25+:¥5.32
100+:¥4.83
250+:¥4.08
500+:¥3.98
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SI5433BDC-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 6.7A 2.5W1+:¥7.64
10+:¥6.72
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100+:¥5.31
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1000+:¥3.27
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SI5433BDC-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 6.7A 2.5W1+:¥7.64
10+:¥6.72
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1000+:¥3.271+:¥6.38
10+:¥5.04
100+:¥4.5199
250+:¥3.94
500+:¥3.48
1000+:¥3.12
3000+:¥2.87
6000+:¥2.8401
12000+:¥2.7
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SI5433BDC-T1-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET T/R$0.4928